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Spécifications du module de puissance IGBT FS75R12KT4-B11
Ce semi-conducteur de puissance regroupe plusieurs transistors dans un seul boîtier hermétique pour piloter les courants alternatifs et continus avec une précision chirurgicale. Destiné aux concepteurs d'équipements de conversion d'énergie, il assure l'interface entre la commande basse tension et la puissance du réseau.
Analyse des composants intégrés
Le module renferme des puces silicium de dernière génération associant une tension de déchet minimale à une excellente tenue aux courts-circuits. C'est l'élément central pour la gestion des moteurs électriques asynchrones.
Tableau des valeurs maximales admissibles
| Caractéristique électrique | Valeur de sécurité |
|---|---|
| Tension d'isolation thermique | 2,5 kV AC |
| Température de jonction max | 175 degrés Celsius |
| Courant de crête répétitif | 150 A |
Expérience d'intégration industrielle
Les ingénieurs apprécient la disposition claire des broches qui facilite le routage des pistes de puissance et des signaux de commande de gâchette. Ce composant est idéal pour assembler des armoires électriques de distribution dans les secteurs de la métallurgie, du traitement des eaux et de la plasturgie.
