L'excellence des semi-conducteurs haut de gamme
Conçu pour les applications les plus exigeantes, le module de puissance 2MBI150U4H-170 incarne le sommet du savoir-faire en électronique industrielle. Chaque diode et thyristor de cet ensemble est sélectionné selon des critères drastiques pour offrir une pureté de signal irréprochable et une résilience thermique hors du commun.
Une architecture interne sophistiquée
La structure en cuivre hautement purifié sous la plaque de base assure un transfert de chaleur exceptionnel. Cette conception prévient les points chauds et maintient le composant à une température de fonctionnement optimale, même lors de variations de charge brutales. C'est l'assurance d'un investissement durable pour vos projets d'ingénierie critiques.
Performances exclusives
- Substrat en céramique premium : Offre une isolation électrique supérieure entre les circuits de commande et de puissance, protégeant ainsi l'électronique basse tension.
- Finition des terminaux : Placage de haute qualité facilitant le serrage et évitant l'oxydation prématurée au fil des années.
Spécifications haut de gamme
| Matériau de la base | Cuivre nickelé |
| Tension d'isolation | 2500V AC (pendant 1 minute) |
| Poids approximatif | 310 grammes |